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产品信息
TEA1716T/2产品特点：
TEA1716T在多芯片IC中集成了功率因数校正器（PFC）控制器和半桥谐振转换器（HBC）控制器。
它为上变频器中的分立MOSFET和谐振半桥配置中的两个分立功率MOSFET提供驱动功能。
通过在高功率电平下实现准谐振（QR）操作和在低功率电平下实现带谷跳变的QR操作，可以实现高效PFC操作。
过电流保护（OCP）、过压保护（OVP）和退磁感应确保在所有条件下安全运行。
HBC模块是零电压开关LLC谐振变换器的高压控制器。
它包含一个高压电平移位电路和几个保护电路，包括OCP、开环保护、电容模式保护和通用锁存保护输入。
该高压芯片采用专有的高压双极CMOS DMOS功率逻辑工艺制造，能够从整流后的通用电源电压高效直接启动。
低压绝缘体上硅（SOI）芯片用于实现准确、高速的保护功能和控制。
TEA1716T控制PFC电路和谐振变换器非常灵活。它可以在很宽的电源电压范围内广泛应用。
TEA1716T/2 技术参数
频率：125 kHz
针脚数：24
耗散功率：0.8 W
工作温度(Max)：150 ℃
工作温度(Min)：-40 ℃
电源电压：70VAC ~ 276VAC
电源电压(Max)：276 VAC
电源电压(Min)：70 VAC
TEA1716T/2 封装参数
安装方式Surface Mount
封装SOIC-24
外形尺寸
封装SOIC-24
TEA1716T/2 物理参数
工作温度-40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
符合标准
RoHS标准RoHS Compliant
含铅标准Lead Free
TEA1716T/2 海关信息
ECCN代码EAR99
香港进出口证NLR
TEA1716T在多芯片IC中集成了功率因数校正器（PFC）控制器和半桥谐振转换器（HBC）控制器。
它为上变频器中的分立MOSFET和谐振半桥配置中的两个分立功率MOSFET提供驱动功能。
通过在高功率电平下实现准谐振（QR）操作和在低功率电平下实现带谷跳变的QR操作，可以实现高效PFC操作。
过电流保护（OCP）、过压保护（OVP）和退磁感应确保在所有条件下安全运行。
HBC模块是零电压开关LLC谐振变换器的高压控制器。
它包含一个高压电平移位电路和几个保护电路，包括OCP、开环保护、电容模式保护和通用锁存保护输入。
该高压芯片采用专有的高压双极CMOS DMOS功率逻辑工艺制造，能够从整流后的通用电源电压高效直接启动。
低压绝缘体上硅（SOI）芯片用于实现准确、高速的保护功能和控制。
TEA1716T控制PFC电路和谐振变换器非常灵活。它可以在很宽的电源电压范围内广泛应用。
TEA1716T/2 技术参数
频率：125 kHz
针脚数：24
耗散功率：0.8 W
工作温度(Max)：150 ℃
工作温度(Min)：-40 ℃
电源电压：70VAC ~ 276VAC
电源电压(Max)：276 VAC
电源电压(Min)：70 VAC
TEA1716T/2 封装参数
安装方式Surface Mount
封装SOIC-24
外形尺寸
封装SOIC-24
TEA1716T/2 物理参数
工作温度-40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
符合标准
RoHS标准RoHS Compliant
含铅标准Lead Free
TEA1716T/2 海关信息
ECCN代码EAR99
香港进出口证NLR