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产品信息
IRFP260NPBF概述
IRFP260NPBF是采用TO-247AC封装的200V单N沟道HEXFET功率MOSFET。该MOSFET具有极低的每硅面积电阻，动态dv/dt额定值，并联，坚固耐用，快速开关，简单的驱动要求以及完全雪崩额定值的特性，因此众所周知，功率MOSFET具有极高的效率和可靠性，可以可用于多种应用。
漏极至源极电压（Vds）为200V
栅极至源极电压为±20V
Vgs 10V时导通电阻Rds（on）为40mohm
25°C时300W的功耗Pd
Vgs 10V和25°C时50A的连续漏极电流Id
工作结温范围为-55°C至175°C
应用
电源管理,工业,便携式器材,消费电子产品
通道类型
N
晶体管配置
单
**连续漏极电流
50 A
**栅源电压
-20 V、+20 V
**漏源电压
200 V
每片芯片元件数目
1
封装类型
TO-247AC
**工作温度
-55 °C
安装类型
通孔
宽度
5.3mm
引脚数目
3
**工作温度
+175 °C
**漏源电阻值
40 mΩ
长度
15.9mm
通道模式
增强
高度
20.3mm
**栅阈值电压
4V
晶体管材料
Si
**栅阈值电压
2V
典型栅极电荷@Vgs
234 nC @ 10 V
**功率耗散
300 W
系列
HEXFET
