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产品信息
AO3481C中文资料规格参数
FET类型P: Channel
Pd-功率耗散(Max): 1.3W
符合标准
?沟槽功率MOSFET技术30V
?低RDS(上)
?门电荷低
?RoHS和无卤素兼容
品名：场效应管(MOSFET)
类型：P沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：4.3A
功率(Pd)：1.3W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@10V,4.3A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250μA
栅极电荷(Qg@Vgs)：6nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：720pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)：70pF@15V
工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
FET类型P: Channel
Pd-功率耗散(Max): 1.3W
符合标准
RoHS标准RoHS Compliant
?沟槽功率MOSFET技术30V
?低RDS(上)
?门电荷低
?RoHS和无卤素兼容
场效应管测定方法：
一、若读数仍为较大值，黑表笔不动，改用红表笔接触G，碰一下之后立即回到原脚，此时若读数为0Ω，则黑表笔接的是S极、红表笔为D极，用红表笔接触G极有效，该MOS管为P沟道。
二、若读数由原来较大值变为0(0×10kΩ)，则红表笔所接为S，黑表笔为D。用黑表笔接触G有效，使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω，还可证明该管为N沟道。
三、漏极D、源极S及类型判定：用万用表 R ×10kΩ档测 D、S问正反向电阻，正向电阻约为0.2 ×10kΩ，反向电阻（5一∞）X100kΩ。在测反向电阻时，红表笔不动，黑表笔脱离引脚后，与G碰一下，然后回去再接原引脚，出现以上两种情况。
四、栅极G的测定：用万用表R×100 档，测任意两脚之间正反向电阻，若其中某次测得电阻为数百Ω)，该两脚是D、S，第三脚为G。