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产品信息
功率器件IRF1404PBF场效应管 单N沟道功率MOSFET，英飞凌功率器件
IRF1404PBF采用TO-220封装的40V单N沟道功率MOSFET
特征描述：
宽SOA的平面单元结构
针对合作伙伴的蕞广泛可用性进行了优化
根据JEDEC标准的产品**
工业标准表面贴装电源套件
高电流额定值。
优势：
坚固耐用
多厂商兼容性
行业标准资质等级
标准引脚排列允许更换
高载流能力。
IRF1404是N极性MOS管，IRF1404基本描述：
-先进的工艺技术
-超低导通电阻
-动态的dv / dt评级
-操作温度175°C
-快速切换
-完全Avalanche额定
IRF1404主要特征：
第七代HEXFET®功率MOSFETs从整流器采用国际先进加工工艺
技术，以实现极低的通阻每硅区域。这个好处，加上快开关速度快，设备设计坚固耐用
六场效应晶体管功率MOSFET是众所周知的，提供该设计具有极高的效率和可靠性
用于广泛应用的装置，包括汽车。
IRF1404**参数：
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续漏极电流：162 A
Rds On-漏源导通电阻：4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷：160 nC
Pd-功率耗散:333 W
晶体管极性：N-Channel
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量：1 Channel
**工作温度：- 55 C
**工作温度：+ 175 C
高度：15.65 mm
长度：10 mm
晶体管类型：1 N-Channel
宽度：4.4 mm
下降时间：33 ns
上升时间：190 ns
典型关闭延迟时间：46 ns
典型接通延迟时间：17 ns
单位重量: 6 g
