深圳市芯联智创科技有限公司

GD25Q16CSIG详细中文参数
类别：集成电路（IC）存储器
制造商：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
包装：管件
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NOR
GD25Q16CSIG存储容量:16Mb（2M x 8）
存储器接口:SPI - 四 I/O
写周期时间: - 字，页 50μs，2.4ms
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
GD25Q16CSIG工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOP
时钟频率: 120 MHz

GD25Q16CSIG详细描述：

1.16M 位串行闪存 
2.快速编程/擦除速度
-2048K-Byte -Page 编程时间：0.6ms 典型值
每个可编程页面 -256 字节 -扇区擦除时间：典型值为 45 毫秒
-块擦除时间：0.15/0.25s（典型）
3. 标准、双路、四路 SPI - 芯片擦除时间：典型值 7s
- 标准 SPI：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#
-双SPI：SCLK、CS#、IO0、IO1、WP#、HOLD# 
4.灵活的架构
-Quad SPI：SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3 -4K 字节的统一扇区
- 32/64K 字节的统一块
5.高速时钟频率
-120MHz 可在 30PF 负载下快速读取 
6. 低功耗
-双 I/O 数据传输高达 240Mbits/s -1uA 典型深度掉电电流
-Quad I/O 数据传输速度高达 480Mbits/s -1uA 典型待机电流
7.软件/硬件写保护 
- 通过软件写保护所有/部分内存
- 使用 WP# 引脚启用/禁用保护 -4x256 字节安全寄存器和 OTP 锁
- 顶部/底部块保护 - 可发现参数 (SFDP) 寄存器
8. 至少 100,000 个编程/擦除周期 
11. 单电源电压

-全电压范围：2.7~3.6V